我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB150NF55T4现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

在追求极致效率的功率电子世界，您需要一个既能“扛得住”又能“省得多”的开关核心。STB150NF55T4正是为此而生。它拥有120A的强大电流承载能力和低至6毫欧的导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统整体能效，让热量更少，性能更稳。

这颗基于先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，具备55V的耐压和优异的开关特性。它能让您的电源转换或电机驱动设计更加高效紧凑，轻松应对高功率密度挑战。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:STB150NF55T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:190 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB150NF55T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。