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还在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的“硬核”开关管吗？STB200NF04L正是为您而来的解决方案。它基于先进的STripFET II技术，在仅5V或10V的驱动电压下，就能实现低至3.5毫欧的超低导通电阻，轻松驾驭高达120A的连续电流，让您的电源转换或电机驱动效率大幅提升，热量显著降低。

这颗芯片能为您做什么？它让您在设计大功率DC-DC转换器、电机控制器或同步整流电路时，拥有一个极其高效、可靠的核心开关。其优化的栅极电荷和输入电容，确保了快速干净的开关动作，减少开关损耗。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）和坚固的D2PAK封装，则赋予了它应对严苛环境挑战的底气，是您构建高性能、高可靠性系统的理想选择。

• 型号:STB200NF04L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB200NF04L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。