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A2C25S12M3 零件图片(仅供参考)

A2C25S12M3
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A2C25S12M3 规格参数

还在寻找一颗能同时兼顾高性能、高集成度与出色可靠性的功率核心吗?A2C25S12M3正是为您而来。这颗来自ST意法半导体的IGBT模块,集成了1200V/25A的强劲功率处理能力于紧凑的ACEPACK2封装之中,其先进的沟槽型场截止技术能显著降低导通损耗(Vce(on)低至2.45V),让您的电机驱动、变频器或UPS系统运行得更凉爽、更高效,直接为您节省能源,提升整体能效。

它不仅仅是一个开关。其内置的三相反相器桥与制动器配置,让您轻松构建完整的驱动解决方案;集成的NTC热敏电阻则提供了实时的温度监控,配合-40°C至150°C的宽广工作结温范围,确保您的设备在极端环境下依然稳定可靠。选择A2C25S12M3,就是为您的产品选择了一颗强劲、智能且易于集成的“动力心脏”,让复杂的设计变得简单,让卓越的性能触手可及。

  • 型号:A2C25S12M3
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:ACEPACK 2
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 描述:IGBT MODULE 1200V 25A ACEPACK 2
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 配置:三相反相器,带制动器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):25 A
  • 功率 - 最大值:197 W
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,25A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100 A
  • 不同Vce 时输入电容 (Cies):1.55 nF @ 25 V
  • 输入:三相桥式整流器
  • NTC 热敏电阻:是
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:ACEPACK 2
  • A2C25S12M3,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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A2C25S12M3 基本参数:

  • 电子零件型号:A2C25S12M3
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:IGBT MODULE 1200V 25A ACEPACK 2
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
  • 点击此处查询A2C25S12M3的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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