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还在为寻找一颗能扛起高功率重任又保持冷静高效的MOSFET而烦恼吗？STB19NM65N正是为您而来的解决方案。它基于ST意法半导体成熟的MDmesh II技术，为您提供650V的坚固耐压和15.5A的强大电流处理能力，让您的电源或电机驱动设计轻松应对高压挑战。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效。仅270毫欧的低导通电阻（10V驱动下）意味着更少的能量损耗转化为热量，让您的系统运行更凉爽、更高效。同时，优化的栅极电荷和输入电容确保了快速干净的开关性能，助力您实现更高频率的设计，从而缩小整体方案尺寸。选择它，就是选择让您的产品在可靠性、效率和功率密度上获得显著提升。

• 型号:STB19NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB19NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。