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还在为高压大电流开关应用中的效率瓶颈和散热难题寻找解决方案吗？让意法半导体的STB18NF30来为您破局！这颗N沟道功率MOSFET专为 demanding 应用而生，其330V的耐压和18A的电流处理能力，让您在设计工业电源、电机驱动或汽车电子系统时信心十足。

它核心的STripFET II技术，为您带来了低至180毫欧的优异导通电阻，显著降低了功率损耗，让系统运行更凉爽、更高效。同时，优化的开关特性帮助您提升频率响应，轻松实现更紧凑、性能更强的设计。选择它，就是选择了一份通过汽车级AEC-Q101认证的可靠性与卓越性能。

• 型号:STB18NF30
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 330V 18A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:330 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB18NF30，ST（意法半导体）产品一站式供应商。