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还在为高压应用的开关损耗和效率瓶颈烦恼吗？让STB11NM60FDT4来为您破局！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，集600V高耐压、11A大电流与超低导通电阻于一身，专为 demanding 的高压开关场景而生。

它能为您做什么？核心就是“高效转换”与“可靠控制”。其卓越的FDmesh技术让它在导通时阻抗极低，显著减少功率损耗和发热，让您的电源或电机驱动系统跑得更“凉快”、更省电。同时，优化的栅极电荷和开关特性，让您能轻松实现快速、精准的功率控制，提升系统动态响应。无论是构建紧凑型开关电源、驱动电机，还是实现高效的照明控制，它都能让您的设计更上一层楼，在性能和可靠性之间找到完美平衡点。

• 型号:STB11NM60FDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB11NM60FDT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。