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当您的设计需要一颗能够扛起高压、大电流重任的“肌肉型”开关时，STW11NB80正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有800V的坚固耐压和11A的强大电流吞吐能力，基于先进的PowerMESH技术打造，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它能让您轻松应对工业电源、UPS和变频驱动等应用中的高压开关挑战。优化的动态参数（如栅极电荷）确保了快速干净的开关切换，帮助您提升整体能效并简化驱动电路设计。尽管已停产，但其经典性能在诸多成熟设计中依然闪耀，是追求可靠性与性能平衡的明智之选。

• 型号:STW11NB80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW11NB80，ST（意法半导体）产品一站式供应商。