我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB16NK65Z-S现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能同时驾驭高压与高电流的“硬核”开关吗？STB16NK65Z-S正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有650V的漏源电压和13A的连续电流处理能力，基于ST领先的SuperMESH技术打造，能显著降低开关损耗和导通电阻，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对严苛的功率转换挑战。其优化的栅极电荷和输入电容特性，有助于简化您的驱动电路设计，提升开关速度。同时，坚固的I2PAK通孔封装和高达190W的功率耗散能力，为您提供了出色的散热性能和长期可靠性保障，是构建高稳定性工业级应用的坚实基石。

• 制造商产品型号：STB16NK65Z-S
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 13A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SuperMESH
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：500 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 100A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：89nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2750pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：190W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK
• STB16NK65Z-S，ST（意法半导体）产品一站式供应商。