我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB150NF04现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计高功率密度、高效率的电源或电机驱动方案吗？STB150NF04就是您理想的功率开关伙伴。这颗N沟道MOSFET拥有40V的漏源电压和高达80A的连续电流承载能力，其核心亮点在于仅7毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体效率，让热量管理变得更轻松。

基于STripFET II技术，它确保了快速稳定的开关性能。高达300W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），让它能从容应对各种严苛环境。采用成熟的D2PAK表面贴装封装，兼顾了强大的散热性能与便捷的制造工艺。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的动力核心。

• 型号:STB150NF04
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3650 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB150NF04，ST（意法半导体）产品一站式供应商。