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您正在设计需要处理庞大电流的电源或驱动电路吗？STB150N3LH6正是为您而来的功率管理核心。这颗采用先进STripFET VI技术的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和高达80A的电流承载能力，其精髓在于极致的效率。在10V驱动下，导通电阻低至惊人的3毫欧，这意味着它能大幅削减开关过程中的能量损耗，让您的系统运行更凉爽，电能转换更高效。

无论是构建高效的DC-DC转换器、驱动强劲的电机，还是设计可靠的电池管理系统，它都能轻松胜任。TO-263封装提供了优秀的散热性能，确保在严酷环境下稳定工作。选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的心脏，让您在性能和可靠性上双双赢得先机。

• 型号:STB150N3LH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB150N3LH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。