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还在为高压应用中的效率损失和热管理头疼吗？让STB14NK60ZT4来为您解决难题！这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道功率MOSFET，是您实现高效能量控制的得力助手。

它拥有600V的高耐压和13.5A的强大电流能力，让您轻松驾驭工业电源、电机驱动等严苛场景。其关键优势在于极低的导通电阻（仅500毫欧@10V），能显著减少导通损耗，直接提升系统整体能效，同时出色的栅极电荷特性让驱动设计更简单高效。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:STB14NK60ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13.5A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2220 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB14NK60ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。