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还在为高压应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STU5N80K5为您开启高效电源设计的新篇章。这颗N沟道高压MOSFET拥有800V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（Rds(on)），能显著减少导通损耗，让您的电源转换效率轻松提升。

得益于ST先进的MDmesh K5技术，它实现了更快的开关速度和更优的动态性能，帮助您简化驱动电路设计，降低系统整体复杂性。无论是构建紧凑型开关电源，还是设计高可靠性的工业电机驱动，STU5N80K5都能让您以更低的功耗获得更强的功率输出，是追求高性能与高性价比工程师的理想选择。

• 制造商产品型号：STU5N80K5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 800V 4A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh K5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 100A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：177pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STU5N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。