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还在为电源转换效率的瓶颈而烦恼吗？让STD7N65M6为您带来突破！这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，拥有650V的高耐压和5A的强电流承载能力，专为要求高效、可靠的开关应用而生。

它采用先进的MDmesh M6技术，能显著降低导通电阻和开关损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级和更小的体积。其优化的栅极电荷和输入电容，确保了快速、干净的开关动作，有助于简化驱动电路设计，提升系统整体可靠性。

无论是用于离线式电源、电机控制还是照明驱动，STD7N65M6都能帮助您打造出性能卓越、竞争力强的产品，是您高效能功率设计的理想选择。

• 型号:STD7N65M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:990毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD7N65M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。