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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STB140NF55T4正是您的答案。这颗N沟道MOSFET拥有55V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅8毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动方案效率更高，发热更少。

得益于STripFET II技术和D2PAK封装，它不仅提供了强大的300W功率耗散能力，确保在高负荷下稳定工作，其优异的栅极电荷特性也让驱动设计更为轻松高效。选择它，就是为您的产品注入了强劲、可靠的心脏，轻松应对从工业控制到高端电源的各种挑战。

• 型号:STB140NF55T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB140NF55T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。