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您正在寻找一颗能扛起大电流、兼顾高效与可靠的功率开关吗？STB140N4F6 N沟道MOSFET就是您的理想之选。它基于意法半导体成熟的STripFET F6技术，拥有40V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，让您在设计高功率密度电源、电机驱动或负载开关时信心十足。

这颗芯片能为您做什么？它凭借优异的性能，能显著降低导通损耗，提升系统整体效率。其D2PAK封装提供了出色的散热能力，确保在大功率应用中稳定运行。无论是简化您的热管理设计，还是助力产品实现更紧凑的尺寸与更高的可靠性，STB140N4F6都能让您的设计工作变得更加轻松高效。

• 制造商产品型号：STB140N4F6
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F6
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：168W（Tc）
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：D2PAK
• STB140N4F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。