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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关迅猛的“功率开关”吗？STB130NS04ZBT4正是为您而来。它拥有33V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，凭借其MESH OVERLAY技术，实现了惊人的9毫欧超低导通电阻。这意味着在您的大电流DC-DC转换器或电机驱动电路中，它能极大地减少导通损耗，让宝贵的电能更多地用于驱动负载，而非变成热量，从而让您的系统运行更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源设计轻松应对高功率密度挑战。其优化的栅极电荷（典型值80nC）和输入电容，确保了快速干净的开关特性，有助于提升系统工作频率和动态响应。无论是用于同步整流提升效率，还是作为核心开关管控制电机启停，STB130NS04ZBT4都能提供稳定可靠的性能，助您打造出更具市场竞争力的高能效产品。

• 型号:STB130NS04ZBT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:33 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:箝位
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB130NS04ZBT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。