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还在为寻找一颗既高效又紧凑的功率开关而烦恼吗？STN4NF03L正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，能轻松胜任30V/6.5A的开关任务，其核心价值在于极低的导通电阻（仅50毫欧@10V），能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它采用先进的STripFET II技术，结合低栅极电荷特性，让您能够设计出开关速度更快、驱动更简单的高效电路。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载开关，它都能帮助您提升系统能效，同时节省宝贵的PCB空间。选择STN4NF03L，就是选择了一种让设计更轻松、让产品更具竞争力的可靠路径。

• 型号:STN4NF03L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:330 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN4NF03L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。