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还在寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗和高可靠性的功率开关吗？STB130N6F7正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达80A的连续电流能力，其核心魅力在于仅5毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它基于ST成熟的STripFET F7技术打造，不仅开关特性优异（栅极电荷仅42nC），更能承受高达175°C的结温，确保在恶劣环境下稳定工作。无论是提升能效、缩小散热器尺寸，还是增强系统可靠性，STB130N6F7都能让您的设计目标轻松达成，是工业控制、汽车电子及大功率电源等应用的理想选择。

• 型号:STB130N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB130N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。