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STGF19NC60KD 零件图片(仅供参考)

STGF19NC60KD
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STGF19NC60KD 规格参数

您是否正在寻找一颗能显著提升系统能效与功率密度的“心脏”?STGF19NC60KD正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的600V/16A IGBT,采用创新的PowerMESH技术,为您带来低至2.75V的导通压降和优化的开关特性,能大幅降低导通与开关损耗,让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它不仅能轻松处理高达75A的脉冲电流,应对严苛的负载变化,其宽广的工作温度范围(-55°C至150°C)更确保了在各种环境下的卓越可靠性。无论是用于工业变频器、UPS还是新能源设备,STGF19NC60KD都能让您以更小的散热设计实现更大的功率输出,简化系统架构,加速产品上市进程。

  • 型号:STGF19NC60KD
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220FP
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 16A TO-220FP
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):16 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):75 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,12A
  • 功率 - 最大值:32 W
  • 开关能量:165J(导通),255J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:55 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:30ns/105ns
  • 测试条件:480V,12A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):31 ns
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220FP
  • STGF19NC60KD,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STGF19NC60KD 基本参数:

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