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您正在寻找一颗能高效处理600V高压、承载10A电流的功率开关吗？STB12NM60N正是为您而来！这颗基于意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有低至410毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它集高耐压、大电流与快速开关特性于一身，栅极电荷（Qg）仅30.5nC，配合±25V的宽泛栅极电压范围，让您的驱动电路设计更加灵活简便。采用坚固的D2PAK表面贴装封装，提供出色的散热性能，确保在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作，是提升系统可靠性和功率密度的理想选择。

• 型号:STB12NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:410 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB12NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。