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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关迅猛的功率“心脏”吗？STU150N3LLH6正是为此而生。这颗采用先进DeepGATE技术的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和80A的强大电流处理能力，其核心魅力在于超低的3.3毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统效率飙升，运行温度大幅降低。

它专为高效开关应用而优化。极低的栅极电荷让驱动变得轻松简单，助力实现更高的开关频率，从而让您能够使用更小体积的电感和电容，优化整个系统的尺寸与成本。高达110W的功率耗散能力和175°C的结温规格，确保了它在严苛环境下的长期稳定性和可靠性。无论是升级现有设计还是开发新一代高效能产品，STU150N3LLH6都能让您的功率路径更加畅通无阻。

• 型号:STU150N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4040 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU150N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。