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还在为功率转换效率不够高而头疼吗？STB12NM50FDT4就是您提升系统性能的利器。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有500V的漏源电压和12A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg）。这意味着它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的电源或电机驱动设计运行得更凉爽、更高效。

它采用成熟的FDmesh技术和坚固的D2PAK封装，不仅确保了出色的电气性能，还提供了卓越的散热能力与可靠性。无论是用于开关电源、逆变器还是照明镇流器，STB12NM50FDT4都能帮助您轻松实现更高的功率密度和更长的产品寿命，是工程师构建高性能、高可靠性功率系统的信心之选。

• 型号:STB12NM50FDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB12NM50FDT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。