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您正在设计需要处理大电流、追求高效节能的电源或电机驱动方案吗？STP160N75F3正是为您量身打造的功率开关解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有75V的耐压和高达120A的电流承载能力，其核心魅力在于仅4毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它采用先进的STripFET技术，具备极低的栅极电荷和快速的开关特性，让您轻松实现高频高效的能量转换。无论是用于服务器电源、工业变频器还是新能源设备，STP160N75F3都能提供稳定可靠的性能，助您轻松应对高功率密度设计的挑战，提升产品整体竞争力。

• 型号:STP160N75F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6750 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP160N75F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。