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还在为高压电源设计的效率与发热问题烦恼吗？让STB11NM80T4为您带来焕然一新的体验。这颗基于先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和11A的持续电流能力，能轻松应对严苛的功率开关任务。

它的核心价值在于极致的能效表现。仅400毫欧的超低导通电阻，配合优化的栅极电荷特性，让您在获得强大驱动力的同时，显著降低开关损耗和导通损耗。这意味着您的系统将运行得更高效、更凉爽，直接提升整体能效并简化散热设计。选择它，就是为您的工业电源、电机驱动或新能源设备注入一颗高效、可靠的“强芯”。

• 型号:STB11NM80T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB11NM80T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。