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还在为功率转换系统中的开关损耗和热管理问题烦恼吗？让STB10NK60Z-1为您带来改变。这颗600V/10A的N沟道MOSFET，采用先进的SuperMESH技术，能显著降低导通电阻，从而大幅提升效率，让您的电源或电机驱动应用运行得更凉爽、更节能。

它拥有优异的开关特性，栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于简化您的驱动电路设计，实现更高频率的稳定开关。坚固的I2PAK通孔封装和高达115W的功率处理能力，让您轻松应对高功率密度设计的挑战，确保系统在严苛环境下长期可靠运行。

• 型号:STB10NK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STB10NK60Z-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。