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您正在寻找一颗能扛起高功率重任、同时保持冷静与高效的“核心开关”吗？STW23NM60ND正是为此而来。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和19.5A的强劲电流处理能力，专为要求严苛的开关电源、电机驱动和功率转换电路设计。

它采用先进的FDmesh II技术，实现了极低的导通电阻（仅180毫欧@10A），让您轻松降低导通损耗，提升整体能效。同时，优化的栅极电荷和电容特性确保了快速干净的开关性能，有效减少开关损耗和电磁干扰（EMI）。这一切都集成在坚固的TO-247封装内，具备出色的散热能力，让您的系统运行更稳定、更可靠，轻松应对高功率密度设计的挑战。

• 型号:STW23NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW23NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。