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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STW47NM60ND正是为此而生。这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和35A的强大电流吞吐能力，能轻松成为您工业电机驱动、UPS电源或新能源转换系统中的核心动力开关。

它的卓越之处在于，凭借低至88毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。同时，优化的栅极电荷特性让开关动作干净利落，进一步提升了整体效率。高达255W的散热能力和宽泛的工作温度范围，更是确保了其在严苛环境下的长期可靠性与稳定性，让您设计高耐用性产品时信心倍增。

• 型号:STW47NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:120 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW47NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。