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还在寻找一颗能扛起大功率射频放大重任的核心器件吗？STAC4932F正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的N通道射频功率MOSFET，专为高效能量转换而设计，它能将微弱的输入信号强劲放大，轻松输出高达1200W的功率，让您的系统动力澎湃。

它集高电压（200V额定）、高增益（26dB）与高工作频率（123MHz）于一身，不仅能简化您的电路设计，更能显著提升系统整体效率和可靠性。无论是驱动严苛的工业负载还是确保关键通信的清晰稳定，STAC4932F都能让您从容应对，是实现高性能、高稳定性射频功率放大的理想选择。

• 型号:STAC4932F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:STAC244F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET 100V STAC244F
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 通道
• 频率:123MHz
• 增益:26dB
• 电压 - 测试:100 V
• 额定电流（安培）:-
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:250 mA
• 功率 - 输出:1200W
• 电压 - 额定:200 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:STAC244F
• 供应商器件封装:STAC244F
• STAC4932F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。