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还在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任的“硬核”器件吗？STW12NM60N就是您的得力干将！这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和10A的强大电流吞吐能力，专为 demanding 的功率转换场景而生。

它核心的MDmesh技术是效率的保证，让您在10V驱动下即可获得极低的410毫欧导通电阻，大幅降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷和电容参数，确保了干净利落的快速开关，显著削减开关损耗。这一切，都让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

采用坚固的TO-247-3封装，它能轻松耗散高达90W的功率，并从容应对-55°C到150°C的极端温度挑战。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能心脏，让您轻松构建可靠、高效的电力解决方案。

• 型号:STW12NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:410 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW12NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。