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还在为射频功率放大器的效率与稳定性烦恼吗？让STAC250V2-500E为您带来变革性的体验。这颗来自意法半导体的N通道射频MOSFET，专为高要求应用打造，能在27MHz频率下，轻松将微小信号放大21.5dB，输出高达3.5W的驱动功率，是您构建高效前级或推动级的理想选择。

它让您能基于150V的测试电压平台，从容驾驭高达500W的射频功率与900V的额定电压，为您的系统提供前所未有的功率处理能力和安全冗余。采用坚固的STAC177B封装，确保在严苛环境中依然保持卓越性能和长期可靠性，助您轻松打造出更强大、更稳定、更具竞争力的射频产品。

• 型号:STAC250V2-500E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:STAC177B
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET 150V STAC177B
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 通道
• 频率:27MHz
• 增益:21.5dB
• 电压 - 测试:150 V
• 额定电流（安培）:-
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:-
• 功率 - 输出:3.5W
• 电压 - 额定:900 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:STAC177B
• 供应商器件封装:STAC177B
• STAC250V2-500E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。