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SGT140R70ILB 零件图片（仅供参考）

SGT140R70ILB

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SGT140R70ILB 规格参数

型号:SGT140R70ILB
品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
封装:PowerFlat（8x8）HV
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
描述:700 V, 106 MOHM TYP., 17 A, E-MO
包装:卷带（TR）
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）:700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 5A，6V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 17.2mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.5 nC @ 6 V
Vgs（最大值）:+7V，-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:125 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散（最大值）:113W（Tc）
工作温度:-55°C ~ 150°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
封装/外壳:8-VDFN 焊盘
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SGT140R70ILB 基本参数：

电子零件型号：SGT140R70ILB
原始制造厂商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）
技术标准参数：700 V, 106 MOHM TYP., 17 A, E-MO
产品应用分类：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
点击此处查询SGT140R70ILB的技术规格手册Datasheet（PDF文件）
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