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还在寻找一颗能扛起大功率射频放大重任的核心芯片吗？SD56120M正是您期待的答案。这颗由ST意法半导体打造的LDMOS射频功率晶体管，专为860MHz频段的高要求应用而生，它能轻松将您的信号放大至惊人的120W输出功率，让您的基站、广播或工业设备拥有震撼人心的强大驱动力。

凭借其65V的高额定电压和14A的额定电流能力，SD56120M为您提供了宽裕的工作余量和极高的可靠性。高达16dB的增益意味着它能够高效地提升信号强度，让您的系统设计更简洁，性能更出众。其紧凑的M252封装不仅节省空间，更确保了出色的热管理，让您能够构建更稳定、更耐用的高端射频解决方案。

• 型号:SD56120M
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:M252
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 32V M252
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:860MHz
• 增益:16dB
• 电压 - 测试:32 V
• 额定电流（安培）:14A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:400 mA
• 功率 - 输出:120W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:M252
• 供应商器件封装:M252
• SD56120M，ST（意法半导体）产品一站式供应商。