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还在为功率转换系统的效率、体积和发热问题烦恼吗？让SCTWA50N120为您带来颠覆性的解决方案！这颗基于先进碳化硅（SiC）技术的N沟道功率FET，集1200V高压、65A大电流与超低导通电阻于一身，能显著降低开关和导通损耗。

它让您轻松实现更高频率的开关操作，从而大幅缩小电感、变压器等被动元件的尺寸，助力打造出更紧凑、更轻量化的电源模块或电机驱动器。其高达200°C的结温工作能力和卓越的HiP247封装散热性能，确保了系统在严苛环境下的长期可靠运行，为您提升产品能效等级和可靠性提供强大芯动力。

• 型号:SCTWA50N120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 40A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:122 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:318W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCTWA50N120，ST（意法半导体）产品一站式供应商。