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您正在寻找一颗能同时征服高效率、高频率和高可靠性的功率开关芯片吗？SCTWA35N65G2V正是为您而来的解决方案。这颗由ST意法半导体推出的650V/45A碳化硅MOSFET，凭借其革命性的SiC技术，能轻松实现极低的开关损耗和导通损耗。

它让您的电源设计焕然一新。无论是提升服务器电源的能效，还是驱动太阳能逆变器以捕获更多能量，SCTWA35N65G2V都能提供强劲而高效的功率处理能力。其快速的开关速度让您能够使用更小的磁性元件，而优异的散热特性（最大功率耗散208W）则确保了系统在-55°C至175°C的严苛环境下稳定运行。

选择它，意味着您选择了一种更智能的功率管理方式。它将帮助您简化热设计，缩小产品体积，并最终打造出在性能和可靠性上都更具市场竞争力的尖端产品。

• 型号:SCTWA35N65G2V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:TRANS SJT N-CH 650V 45A TO247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.2V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+20V，-5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:73000 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCTWA35N65G2V，ST（意法半导体）产品一站式供应商。