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还在为射频天线端口脆弱的静电防护而担忧吗？ESDARF03-1BF3正是为您排忧解难的专家。这颗来自ST意法半导体的TVS二极管，专为保护RF天线接口而生，其核心使命就是让您的高频信号在复杂电磁环境中坚如磐石。

它凭借仅0.6pF的超低电容，确保对GPS、蓝牙、Wi-Fi等高频信号的影响微乎其微，让您的通信质量毫无折损。同时，它能瞬间响应并箝位高达6V的静电冲击，以60W的峰值脉冲功率吸收能力，为后端精密电路筑起一道坚固防线。其紧凑的FlipChip BGA封装，更让您能在极其有限的空间内轻松实现高效保护，提升产品整体可靠性。

• 型号:ESDARF03-1BF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:4-覆晶
• 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
• 描述:TVS DIODE 3VWM 4FLIPCHIP
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 类型:齐纳
• 单向通道:-
• 双向通道:1
• 电压 - 反向断态（典型值）:3V
• 电压 - 击穿（最小值）:6V
• 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:-
• 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):-
• 功率 - 峰值脉冲:60W
• 电源线路保护:无
• 应用:RF 天线
• 不同频率时电容:0.6pF @ 1MHz
• 工作温度:-30°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:4-WFBGA，FCBGA
• 供应商器件封装:4-覆晶
• ESDARF03-1BF3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。