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还在为提升系统效率而绞尽脑汁？SCTW35N65G2V就是您期待的答案。这颗基于革命性碳化硅技术的功率MOSFET，拥有650V的坚固耐压和45A的强大电流能力，其核心使命就是让您的设计脱胎换骨它能够显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器系统运行得更凉爽、更安静、更高效。

得益于其低至67毫欧的导通电阻和优化的动态特性，您能轻松实现更高频率的开关操作，从而大幅减小系统中被动元件的体积和成本，有效提升功率密度。无论是面对-55°C到200°C的宽温工作挑战，还是追求极致的能源转换效率，SCTW35N65G2V都能为您提供稳定可靠的性能输出，让复杂的高性能设计变得简单可控。

• 型号:SCTW35N65G2V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 45A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:240W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCTW35N65G2V，ST（意法半导体）产品一站式供应商。