我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） SCTH40N120G2V7AG现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为系统的效率瓶颈和散热难题困扰吗？让SCTH40N120G2V7AG为您带来变革！这款ST意法半导体的650V/33A碳化硅MOSFET，凭借其革命性的SiC技术，能显著降低导通和开关损耗，直接为您提升整机效率，让能量转换更加“干净利落”。

它能让您轻松应对高频开关设计，简化散热系统，从而打造出更紧凑、更可靠的电源模块、电机驱动器或车载充电器。其汽车级（AEC-Q101）的可靠品质，确保它在严苛环境下依然稳定发挥，是您追求高性能与高可靠性的不二之选。

• 型号:SCTH40N120G2V7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-7
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 33A H2PAK-7
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105毫欧 @ 20A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:63 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1230 pF @ 800 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-7
• 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
• SCTH40N120G2V7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。