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还在为提升系统效率而绞尽脑汁吗？SCT30N120D2就是您期待的答案。这颗采用先进碳化硅技术的N通道功率FET，拥有1200V的坚固耐压和40A的强大电流处理能力，能轻松应对苛刻的中高功率场景。它的核心使命，就是让您的电源转换或电机驱动系统运行得更快、更凉、更高效。

具体来说，它极低的导通电阻（仅100毫欧）意味着更小的导通损耗，而优化的栅极特性让开关动作干净利落，显著降低开关损耗。这两者结合，直接为您带来更高的系统效率和更简单的热管理设计。无论是追求功率密度的车载充电器，还是要求7x24小时可靠运行的工业设备，SCT30N120D2都能让您的设计脱颖而出，以卓越的能效和可靠性赢得市场。

• 制造商产品型号：SCT30N120D2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）：1200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：100 毫欧 @ 20A，20V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：105nC @ 20V
• Vgs（最大值）：+25V，-10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1700pF @ 400V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：270W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：HiP247
• SCT30N120D2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。