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还在为高压开关应用中的效率与发热问题烦恼吗？让SCT10N120H来为您解决！这颗由ST意法半导体推出的1200V/12A碳化硅MOSFET，是专为追求极致性能的您而设计。它采用先进的SiCFET技术，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现更高的工作频率，从而缩小变压器和滤波器的体积，助力打造更紧凑、功率密度更高的产品设计。其优异的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关行为，让驱动设计更简单，系统响应更迅捷。无论是提升现有方案的效率，还是开发面向未来的创新产品，SCT10N120H都是您值得信赖的强力引擎。

• 型号:SCT10N120H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2Pak-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2Pak-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• SCT10N120H，ST（意法半导体）产品一站式供应商。