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规格参数
制造商产品型号：SCT10N120H制造商：STMicroelectronics描述：SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：1200V25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：690 毫欧 @ 6A，20V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 20VVgs（最大值）：+25V，-10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：290pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：150W（Tc）工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：H2Pak-2SCT10N120H，ST（意法半导体）产品一站式供应商。
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