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您是否希望为您的电源或电机控制设计找到一颗既能“扛得住”高压大电流，又能“跑得快”降低损耗的核心开关？STL26N30M8正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh M8技术的N沟道MOSFET，拥有300V的耐压和高达23A的连续电流处理能力，其核心价值在于极低的89毫欧导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

同时，它优化的栅极电荷和电容特性确保了快速干净的开关性能，有效降低开关损耗，特别适合高频开关应用。采用紧凑的PowerFlat封装，既节省空间又强化散热，让您轻松实现高功率密度设计。选择它，就是为您的产品选择了可靠的能效基石与强大的市场竞争力。

• 型号:STL26N30M8
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 300V 23A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:300 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:89 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1430 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:114W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL26N30M8，ST（意法半导体）产品一站式供应商。