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还在为驱动高压MOSFET或IGBT而烦恼吗？L6387ED正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的高压半桥栅极驱动器，能轻松驾驭高达600V的电压平台，为您的高效电机控制、电源转换和照明系统提供强劲、精准且安全的驱动核心。

它内置两个独立通道，可分别驱动半桥结构中的高端和低端开关管。高达650mA的峰值输出电流和极快的开关速度（典型值50ns/30ns），让您能最大限度地提升开关频率、降低损耗，从而打造出更紧凑、更高效的电源设计方案。其坚固的设计支持-45°C至125°C的宽温工作，并集成了关键保护功能，确保您的应用在各种挑战下都能稳定运行。

• 型号:L6387ED
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6387ED，ST（意法半导体）产品一站式供应商。