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还在寻找一颗能同时兼顾高功率、高增益和出色稳定性的射频放大核心吗？PD85025C正是您期待的答案。这颗基于先进LDMOS技术的射频FET，专为945MHz频段优化，能轻松为您提供高达10W的射频输出功率和17.5dB的强劲增益，让您的无线设备信号更强、覆盖更广。

它内置的卓越性能，让您无需在效率与稳定性之间妥协。高达40V的额定电压和7A的电流能力，确保了即使在复杂的供电环境下也能高效、稳定地工作。采用紧凑的M243封装，它能帮助您简化电路设计，节省宝贵的空间，从而加速产品上市进程，是构建专业级通信与广播发射系统的理想选择。

• 型号:PD85025C
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:M243
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V M243
• 系列:-
• 包装:盒
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:17.5dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:M243
• 供应商器件封装:M243
• PD85025C，ST（意法半导体）产品一站式供应商。