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还在寻找那颗能兼顾高性能与高可靠性的“心脏”吗？STF8NM60ND正是为您而来！这颗基于意法半导体先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V/7A的强劲规格，旨在让您的电源转换系统脱胎换骨。

它凭借极低的导通电阻和优化的动态参数，能大幅降低开关损耗和传导损耗，直接提升系统效率，让您的设备运行更凉爽、更节能。无论是面对工业驱动的高强度作业，还是应对消费类电源的紧凑空间，其TO-220FP封装和宽温度范围都能让您轻松设计，游刃有余。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与稳定的双重保障。

• 制造商产品型号：STF8NM60ND
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：FDmesh II
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：700 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：560pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：25W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220FP
• STF8NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。