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还在寻找一颗能同时兼顾高性能与高可靠性的870MHz射频功率放大器吗？PD84006L-E就是您的理想之选。这颗基于先进LDMOS技术的FET，专为提升您的无线系统核心效能而设计。

它能让您轻松实现高达2W的稳定射频功率输出，并辅以15dB的优秀增益，显著增强信号覆盖与链路质量。无论是在7.5V的典型电压下高效工作，还是凭借其25V高耐压和5A大电流能力应对严苛环境，它都能确保您设备的持久稳定运行。选择PD84006L-E，意味着您选择了一个经过市场验证的高效、可靠的射频解决方案，助您快速构建具有竞争力的无线产品。

• 型号:PD84006L-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:15dB
• 电压 - 测试:7.5 V
• 额定电流（安培）:5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:150 mA
• 功率 - 输出:2W
• 电压 - 额定:25 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• PD84006L-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。