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还在寻找能驱动您下一个射频功率放大项目的核心引擎吗？PD57030S-E正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的LDMOS射频功率晶体管，专为945MHz高频应用而生，能轻松将您的信号放大至30W的强大输出，同时提供高达14dB的增益，让您的系统获得更远的传输距离和更清晰的信号质量。

它采用先进的PowerSO-10封装，优异的散热设计让您无需再为高温下的性能衰减而担忧。无论是构建坚固的通信基站，还是开发高要求的工业射频设备，PD57030S-E都能以其65V高耐压和4A电流能力，为您提供高效、稳定的功率放大解决方案，显著提升整体系统性能与可靠性。

• 型号:PD57030S-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:14dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:4A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:50 mA
• 功率 - 输出:30W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD57030S-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。