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您正在设计一款需要应对高压、高功率挑战的电源或驱动方案吗？STFI13N80K5正是为您而来的高性能N沟道MOSFET。它拥有800V的漏源电压和12A的连续电流能力，核心优势在于其MDmesh K5技术带来的极低导通电阻（仅450毫欧），能显著降低传导损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭工业电源、UPS、太阳能逆变器等高压开关应用。其优化的开关特性（低栅极电荷和输入电容）有助于简化驱动电路设计，提升开关频率，从而实现更高功率密度和更紧凑的系统布局。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重保障。

• 型号:STFI13N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI13N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。