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还在为射频前端设计的功率和效率问题寻找答案吗？PD57018就是您的高效解决方案！这颗基于先进LDMOS技术的射频功率晶体管，专为945MHz频段优化，能为您轻松提供高达18W的强劲输出功率，同时带来16.5dB的卓越增益，显著提升您的信号链路的整体性能。

它让您能够从容应对专业通信、广播发射等对功率和线性度有严苛要求的场景。其65V的高耐压和优化的PowerSO-10封装，确保了出色的可靠性与散热效率，让您的设计更稳定、更紧凑。选择PD57018，就是选择让您的产品在射频性能上快人一步。

• 型号:PD57018
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:16.5dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:2.5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:100 mA
• 功率 - 输出:18W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD57018，ST（意法半导体）产品一站式供应商。