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还在为945MHz频段的射频功率放大寻找一颗性能强悍、稳定可靠的核心芯片吗？让PD57006S来担当重任！这颗来自ST意法半导体的LDMOS FET，专为高频大功率场景优化，能够轻松将微弱的射频信号放大至6W的强大输出，同时提供高达15dB的增益，确保您的通信或测量信号传输得更远、更清晰。

它采用先进的PowerSO-10封装，优异的散热设计让您无需担心高温降额问题，65V的高耐压特性更提供了充足的安全余量。无论是升级现有设备还是开发新一代高性能射频系统，PD57006S都能让您的设计事半功倍，高效实现稳定卓越的放大性能。

• 型号:PD57006S
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:15dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:1A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:70 mA
• 功率 - 输出:6W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD57006S，ST（意法半导体）产品一站式供应商。