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您正在寻找一颗能扛起高功率、高效率重任的MOSFET吗？STW57N65M5正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有650V的强悍耐压和42A的连续电流输出能力，其核心价值在于，它能显著降低您在电源转换或电机驱动中的能量损耗。

得益于MDmesh V技术和低至63毫欧的导通电阻，它能让您的系统运行得更“冷静”，效率更高，直接帮助您降低散热成本、提升功率密度。同时，优化的开关特性让驱动设计更轻松，助您快速实现更紧凑、更可靠的高性能电源解决方案。

• 型号:STW57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW57N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。