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还在寻找一颗能同时兼顾高功率、高增益与卓越稳定性的射频驱动核心吗？PD55025-E正是您期待的答案。这颗由ST意法半导体精心打造的LDMOS射频功率晶体管，专为500MHz频段的高要求应用而优化，能为您轻松输出高达25W的强劲功率，并以14.5dB的出色增益，显著放大您的信号，确保传输距离更远、质量更清晰。

它让您的系统设计变得前所未有的高效。高达40V的额定电压和7A的额定电流，赋予了它应对复杂工况的强悍底气。采用先进的PowerSO-10封装，散热性能优异，确保长时间大功率运行下的稳定可靠。无论是升级现有设备还是开发新一代产品，PD55025-E都能成为您电路中那个值得完全信赖的“力量核心”，助您轻松实现性能突破。

• 型号:PD55025-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 12.5V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:500MHz
• 增益:14.5dB
• 电压 - 测试:12.5 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:25W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD55025-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。